1987, 9(3): 264-268.
刊出日期：1987-05-19
用Zn作扩散源在封闭的真空石英管中,研究了Zn在Ge中的扩散问题,给出了xj-t1/2关系和C-1/T关系,比较了扩散源温度对样品表面形貌的影响。采用双温区扩散工艺可获得表面光亮的样品。采用真空退火工艺可使扩散样品表面漏电流降低。
1996, 18(6): 638-643.
刊出日期：1996-11-19
关键词:
锗硅合金; 应变; 重掺杂; 能带结构
针对应变Si1-xGex的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在100Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2～31019cm-3后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。
1989, 11(4): 410-415.
刊出日期：1989-07-19
关键词:
天线; 覆介质导体圆柱; 缝隙; 耦合
本文研究覆介质导体圆柱面上轴向窄缝间的耦合,讨论了耦合系数谱展开式中无穷积分的收敛性态,利用辅助函数Ge得出了耦合系数的计算公式,给出了部分数值计算结果。
2009, 31(5): 1233-1236.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2008.00108
刊出日期：2009-05-19
该文采用通用流封装GSE来完成地面数字多媒体广播(T-DMB)系统的IP业务的传输，提出了一种改进的GSE-FEC方案。其中设计了一种可提供帧重构信息以及错误位置信息的改进的GSE封装(IGSE)，进一步提出了基于IGSE的带擦除译码方案IGE，用于GSE-FEC方案的译码部分, 较好地提高了GSE-FEC的性能。仿真结果表明，IGE与基于非带擦除(NE)以及基于现有GSE封装的带擦除(GE)RS译码方案相比，均表现出更强的纠错能力，另外，与GE方案相比，IGE可以更好的保护正确字节，有效的减少信息浪费。
2006, 28(4): 597-602.
刊出日期：2006-04-19
基于视觉采样原理，该文提出了一般化的视觉采样聚类方法VSC。该方法将视觉原理与著名的Weber定律结合起来，其特点是：对聚类初始条件不敏感；Weber定律提供了新的聚类有效性标准，并且该方法所得到的合理的聚类数可以依据Weber定律而得到。大量的实验结果表明了算法VSC的有效性。文中讨论了算法VSC与由Yang Miin-Shen等人(2004)新近提出的基于相似度量的聚类算法SCA之间的内在联系，得出了这两个算法具有一定的同解性质，从而揭示了该文所提方法VSC能够有效地克服算法SCA中参数 不易确定的困难。
2006, 28(8): 1415-1417.
刊出日期：2006-08-19
关键词:
数字签名;代理签名;多重代理;多重签名
为克服多重代理签名方案中无法确认谁是真正签名者的弱点，Sun于1999年提出了不可否认的代理签名方案。2000年Hwang等人指出Sun的方案不安全，并对Sun的方案进行了改进，2004年 Tzeng, Tan, Yang各自对Hwang等人的方案进行了安全性分析，指出Hwang方案容易受到内部伪造攻击。该文通过让原始签名组与代理签名组互动来实现秘密共享和密钥分配的方法，设计了一种新的安全的多重代理、多重签名方案，它能够满足不可否认性和不可伪造性的要求。
2007, 29(10): 2529-2532.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2006.00414
刊出日期：2007-10-19
Gu-Zhang-Yang(2005)提出了一个不需要可信第三方参与的匿名代理签名方案，由于该方案的签名验证数据中没有回避孤悬因子这一现象，因此并不满足强不可伪造性，原始签名人可以伪造一个有效的代理签名通过验证，并成功地在代理签名者身份揭示阶段向公众证明该伪造的代理签名是由合法的代理签名者产生的。本文在分析该方案安全性的基础上提出了改进的匿名代理签名方案，克服了原方案的不足。
1990, 12(2): 169-178.
刊出日期：1990-03-19
关键词:
电子光学; 磁偏转器; 任意形状绕组
本文将文献[1]的分析方法推广到带铁心的偏转器,绕组形状可以是任意的,如子午绕组、非子午绕组、鞍形、环形或扇形等。对铁心与绕组之间有一定间隙的情况,提出了计算偏转场的一种新的表示式,并用高斯-切比雪夫积分式对积分方程离散求解。最后用COTY GE-14''彩显管偏转器的解剖数据验证。
1989, 11(3): 333-336.
刊出日期：1989-05-19
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为EC-ED0.29eV和ET-EV0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。
2021, 43(12): 3749-3757.
doi: 10.11999/JEIT200740
刊出日期：2021-12-21
在分布式存储系统中，当节点发生故障时局部修复码(LRC)可以通过访问少量其他节点来恢复数据，然而LRC的局部度不尽相同，该文构造了短码长且局部度较小的四元LRC。当码长不超过20，最小距离大于2时，若四元距离最优线性码的生成阵维数不超过校验阵维数，可利用其生成阵给出LRC，否则利用其校验阵给出LRC。对已构造的LRC的生成阵或校验阵，利用删除、并置等方法得到新矩阵，从而构造出190个码长$n \le 20$ ，最小距离$d \ge 2$ 的LRC。除12个LRC外，其他LRC是局部度最优的。
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